NDS9959备选型号: SSD2007ATF

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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    230.4mg
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1998
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50V
    900mW
    2A
    Dual
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    300m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    250pF @ 25V
    15nC @ 10V
    8ns
    11 ns
    2A
    20V
    50V
    Standard
    符合RoHS标准
    无铅
  • ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    100 ns
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    50V
    2W
    2A
    -
    2W
    2 N-Channel (Dual)
    300m Ω @ 1.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    15nC @ 10V
    70ns
    70 ns
    2A
    20V
    50V
    逻辑电平门
    符合RoHS标准
    无铅
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