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NDT014备选型号: STN3P6F6
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- 生命周期状态
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 终端
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 通道数量
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 最大结点温度（Tj）
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/RACTIVE (Last Updated: 3 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA3188mgSILICON2.7A Ta-65°C~150°C TJTape & Reel (TR)1998e3yes活跃1 (Unlimited)4SMD/SMTEAR99200mOhmTin (Sn)60VDUAL鸥翼2.7AR-PDSO-G4Single增强型MOSFET3WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING200m Ω @ 1.6A, 10V4V @ 250μA155pF @ 25V11nC @ 10V64ns±20V10 ns2.7A3V20V60V60V3 V1.7mm6.7mm3.7mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------
MOSFET P-CH 60V SOT-223ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks表面贴装表面贴装TO-261-4, TO-261AA4-SILICON10V-55°C~175°C TJCut Tape (CT)-e3-活跃1 (Unlimited)4-EAR99130MOhmMatte Tin (Sn)-DUAL鸥翼--Single增强型MOSFET2.6WDRAIN6.4 nsP-ChannelSWITCHING160m Ω @ 1.5A, 10V4V @ 250μA340pF @ 48V6.4nC @ 10V5.3ns±20V3.7 ns-3A-4V20V-60V--1.9mm6.7mm3.7mm无SVHC-ROHS3 Compliant无铅DeepGATE™, STripFET™ VInot_compliantSTN3P160V3A175°C- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STN3P6F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET P-CH 60V SOT-223 | 对比 |
| FQT13N06TF | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | Trans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R | 对比 |
 | NDT014L | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT-223 | 对比 |
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