STMicroelectronics STN3P6F6

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

20 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

2.6W Tc

Turn Off Delay Time

14 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

系列

DeepGATE™, STripFET™ VI

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

130MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

基本部件号

STN3P

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

2.6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

6.4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

160m Ω @ 1.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

340pF @ 48V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

6.4nC @ 10V

上升时间

5.3ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

3.7 ns

连续放电电流(ID)

-3A

阈值电压

-4V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

3A

漏源击穿电压

-60V

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

1.9mm

长度

6.7mm

宽度

3.7mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅