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NE3503M04-A备选型号: IRFML8244TRPBF
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- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
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- 元素配置
- 操作模式
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
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- 上升时间
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
RF JFET Transistors Low Noise HJ FET表面贴装SOT-343F4M044VBulkDiscontinued1 (Unlimited)125°C-65°C70mA125mW12GHz125mW10mA4VHFET70mA-3V12dB2V0.45dB2V无ROHS3 Compliant-------------------------------------
MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-5.8A TaTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)-----1.25W---5.8A20V-25V--无ROHS3 Compliant12 Weeks表面贴装SILICONMicro32.35V @ 10μAHEXFET®2008-55°C~150°C TJe33EAR9941MOhmMatte Tin (Sn)DUAL鸥翼26030Single增强型MOSFET2.7 nsN-ChannelSWITCHING24m Ω @ 5.8A, 10V430pF @ 10V5.4nC @ 10V2.1ns±20V2.9 ns1.7V24A17 ns1.7 V1.02mm3.04mm1.4mm无SVHC无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | ZVN3320FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET N-CH 200V 0.06A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| BS250FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | DIODES INC. BS250FTA MOSFET Transistor, P Channel, -90 mA, -45 V, 9 ohm, -10 V, -3.5 V | 对比 |
| ZVP3306FTA | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 60V 0.09A 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
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