Diodes Incorporated ZVN3320FTA

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330mW Ta

Turn Off Delay Time

6 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2001

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

25Ohm

电压 - 额定直流

200V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

60mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

接通延迟时间

5 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

25 Ω @ 100mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 25V

上升时间

7ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

7 ns

连续放电电流(ID)

60mA

阈值电压

1V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.06A

漏源击穿电压

200V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

1A

反馈上限-最大值 (Crss)

5 pF

高度

1.02mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅