Diodes Incorporated ZVP3306FTA

工厂交货时间

17 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

质量

7.994566mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

90mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

330mW Ta

Turn Off Delay Time

8 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

14Ohm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-90mA

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

330mW

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

14 Ω @ 200mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 18V

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

90mA

阈值电压

-3.5V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.09A

漏源击穿电压

-60V

双电源电压

-60V

栅源电压

-3.5 V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

高度

1.02mm

长度

3.04mm

宽度

1.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅