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首页 全部分类 NGTB15N120FL2WG vs IRG7PH30K10DPBF

NGTB15N120FL2WG备选型号: IRG7PH30K10DPBF

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  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 上升时间-最大值
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 最大下降时间 (tf)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB15N120FL2WG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 3-Pin TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    38 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    Tin (Sn)
    294W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    294W
    N-CHANNEL
    2.4V
    30A
    110 ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 15A
    沟渠现场停车
    109nC
    60A
    64ns/132ns
    1.2mJ (on), 370μJ (off)
    20V
    6.5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG7PH30K10DPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 30A 180W TO247AC
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    1.2kV
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    镍外哑光锡
    180W
    250
    30
    Single
    Standard
    -
    N-CHANNEL
    2.35V
    30A
    140ns
    1200V
    2.35V @ 15V, 9A
    Trench
    45nC
    27A
    14ns/110ns
    530μJ (on), 380μJ (off)
    -
    7.5V
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    2.35V
    3
    EAR99
    41ns
    180W
    COLLECTOR
    23 ns
    电源控制
    TO-247AC
    34 ns
    390 ns
    56ns
    20.7mm
    15.87mm
    5.3086mm
    无SVHC
    无
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