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首页 全部分类 NGTB15N60S1EG vs STGP15H60DF

NGTB15N60S1EG备选型号: STGP15H60DF

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  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 基本部件号
  • ON Semiconductor
    NGTB15N60S1EG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - NGTB15N60S1EG - IGBT, 600V, 15A, W/ DIODE, TO-220-3
    ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)
    22 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    SILICON
    600V
    1.7V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    117W
    3
    Single
    47W
    COLLECTOR
    Standard
    65 ns
    117W
    MOTOR CONTROL
    N-CHANNEL
    600V
    30A
    270 ns
    TO-220AB
    93 ns
    1.7V @ 15V, 15A
    440 ns
    NPT
    88nC
    120A
    65ns/170ns
    550μJ (on), 350μJ (off)
    20V
    6.5V
    15.75mm
    10.28mm
    4.82mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGP15H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 30A 115W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    -
    3
    -
    600V
    1.6V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    115W
    -
    Single
    -
    -
    Standard
    -
    115W
    -
    -
    600V
    30A
    103 ns
    -
    -
    2V @ 15V, 15A
    -
    沟渠现场停车
    81nC
    60A
    24.5ns/118ns
    136μJ (on), 207μJ (off)
    -
    -
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    通孔
    6.000006g
    STGP15
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