ON Semiconductor NGTB15N60S1EG

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 15 hours ago)

工厂交货时间

22 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.7V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 15A, 22 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

170 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

117W

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

47W

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

接通延迟时间

65 ns

功率 - 最大

117W

晶体管应用

MOTOR CONTROL

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

30A

反向恢复时间

270 ns

JEDEC-95代码

TO-220AB

接通时间

93 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.7V @ 15V, 15A

关断时间-标准值（toff)

440 ns

IGBT类型

NPT

闸门收费

88nC

集极脉冲电流（Icm）

120A

Td（开/关）@25°C

65ns/170ns

开关能量

550μJ (on), 350μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

高度

15.75mm

长度

10.28mm

宽度

4.82mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅