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首页 全部分类 NGTB25N120FLWG vs FGH25T120SMD-F155

NGTB25N120FLWG备选型号: FGH25T120SMD-F155

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  • IGBT类型
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  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB25N120FLWG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120FLWG IGBT, 1200V, 25A, TO-247-3
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    23 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    1.2kV
    2V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    192W
    未说明
    未说明
    3
    Single
    Standard
    91 ns
    192W
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    240 ns
    1200V
    2.2V @ 15V, 25A
    沟渠现场停车
    220nC
    200A
    91ns/228ns
    1.5mJ (on), 950μJ (off)
    20V
    6.5V
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FGH25T120SMD-F155
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 1200V, 25A Field Stop Trench IGBT
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    5 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    1.2kV
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2014
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    TIN
    428W
    260
    -
    -
    Single
    Standard
    -
    -
    -
    N-CHANNEL
    1.2kV
    50A
    60ns
    1200V
    2.4V @ 15V, 25A
    沟渠现场停车
    225nC
    100A
    40ns/490ns
    1.74mJ (on), 560μJ (off)
    25V
    7.5V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    通孔
    6.39g
    SILICON
    3
    428W
    COLLECTOR
    电源控制
    TO-247AB
    88 ns
    584 ns
    无
  • 添加型号
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