NGTB25N120FLWG备选型号: STGW25M120DF3
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 输入类型
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 基本部件号
- ON SEMICONDUCTOR NGTB25N120FLWG IGBT, 1200V, 25A, TO-247-3LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)23 Weeks通孔TO-247-3NO31.2kV2V-55°C~150°C TJTube2011e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)192W未说明未说明3SingleStandard91 ns192W无卤素N-CHANNEL1.2kV50A240 ns1200V2.2V @ 15V, 25A沟渠现场停车220nC200A91ns/228ns1.5mJ (on), 950μJ (off)20V6.5V21.08mm16.26mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅---
- STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks通孔TO-247-3-31.2kV1.85V-55°C~175°C TJTube---活跃1 (Unlimited)EAR99-375W未说明未说明-SingleStandard-375W-N-CHANNEL1.2kV50A265 ns1200V2.3V @ 15V, 25A沟渠现场停车85nC100A28ns/150ns850μJ (on), 1.3mJ (off)20V7V---无SVHCROHS3 Compliant无铅通孔38.000013gSTGW25
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRG7PH35UD1PBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 50A 179W TO247 | 对比 |
![]() | STGW25M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |




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