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首页 全部分类 NGTB30N120IHRWG vs IRG8P40N120KDPBF

NGTB30N120IHRWG备选型号: IRG8P40N120KDPBF

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  • 功率 - 最大
  • 无卤素
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  • 最大集电极电流
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • Reach合规守则
  • 反向恢复时间
  • ON Semiconductor
    NGTB30N120IHRWG
    ON Semiconductor
    Trans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 384000mW 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    通孔
    TO-247-3
    NO
    3
    6.500007g
    1.2kV
    2.2V
    -40°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    384W
    3
    Single
    Standard
    384W
    无卤素
    N-CHANNEL
    1.2kV
    60A
    1200V
    2.5V @ 15V, 30A
    沟渠现场停车
    225nC
    120A
    -/230ns
    700μJ (off)
    20V
    6.5V
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRG8P40N120KDPBF
    Infineon Technologies
    IGBT 1200V 60A 305W TO-247AC
    -
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    3
    -
    1.2kV
    1.7V
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    305W
    -
    Single
    Standard
    -
    -
    -
    2V
    40A
    1200V
    2V @ 15V, 25A
    -
    240nC
    75A
    40ns/245ns
    1.6mJ (on), 1.8mJ (off)
    -
    -
    20.7mm
    15.87mm
    5.31mm
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    通孔
    unknown
    80 ns
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