NGTB40N60L2WG备选型号: FGH40N60SMDF

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
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  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流(Icm)
  • Td(开/关)@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 上升时间-最大值
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • JEDEC-95代码
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值(toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 栅极-发射极Thr电压-最大值
  • 最大下降时间 (tf)
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    600V
    2V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    417W
    Single
    Standard
    417W
    600V
    80A
    73 ns
    2.61V @ 15V, 40A
    沟渠现场停车
    228nC
    160A
    98ns/213ns
    1.17mJ (on), 280μJ (off)
    21.08mm
    16.26mm
    5.3mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins
    -
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    6.39g
    600V
    1.9V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2013
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    349W
    Single
    Standard
    -
    600V
    80A
    90ns
    2.5V @ 15V, 40A
    场站
    119nC
    120A
    12ns/92ns
    1.3mJ (on), 260μJ (off)
    20.6mm
    15.6mm
    4.7mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    SILICON
    e3
    3
    EAR99
    8541.29.00.95
    FGH40N60
    28ns
    349W
    COLLECTOR
    12 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    TO-247AB
    37 ns
    132 ns
    20V
    6V
    17ns
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