ON Semiconductor NGTB45N60S1WG

生命周期状态

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工厂交货时间

28 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Test Conditions

400V, 45A, 10 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2014

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

300W

元素配置

Single

输入类型

Standard

功率 - 最大

300W

集电极发射器电压(VCEO)

2.4V

最大集电极电流

90A

反向恢复时间

70 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.4V @ 15V, 45A

IGBT类型

Trench

闸门收费

125nC

集极脉冲电流（Icm）

180A

Td（开/关）@25°C

72ns/132ns

开关能量

1.25mJ (on), 530μJ (off)

高度

21.4mm

长度

16.25mm

宽度

5.3mm

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅