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首页 全部分类 NGTB50N60S1WG vs STGW50H60DF

NGTB50N60S1WG备选型号: STGW50H60DF

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 元素配置
  • 输入类型
  • 功率 - 最大
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 接通时间
  • 关断时间-标准值（toff)
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    NGTB50N60S1WG
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
    4 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    600V
    1.8V
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    417W
    未说明
    未说明
    Single
    Standard
    417W
    2V
    100A
    94 ns
    2V @ 15V, 50A
    Trench
    220nC
    200A
    100ns/237ns
    1.5mJ (on), 460μJ (off)
    21.4mm
    16.25mm
    5.3mm
    无SVHC
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGW50H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    600V
    1.8V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    -
    e3
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    360W
    -
    -
    Single
    Standard
    360W
    600V
    100A
    55 ns
    1.8V @ 15V, 50A
    沟渠现场停车
    217nC
    200A
    62ns/178ns
    890μJ (on), 860μJ (off)
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6.500007g
    SILICON
    3
    STGW50
    3
    R-PSFM-T3
    62 ns
    电源控制
    N-CHANNEL
    91 ns
    285 ns
    20V
    无
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