STMicroelectronics STGW50H60DF

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

6.500007g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 50A, 10 Ω, 15V

Turn Off Delay Time

205 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

360W

基本部件号

STGW50

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

输入类型

Standard

接通延迟时间

62 ns

功率 - 最大

360W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

100A

反向恢复时间

55 ns

接通时间

91 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.8V @ 15V, 50A

关断时间-标准值（toff)

285 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

217nC

集极脉冲电流（Icm）

200A

Td（开/关）@25°C

62ns/178ns

开关能量

890μJ (on), 860μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

20V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅