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NGTB75N60SWG备选型号: NGTB50N60S1WG
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- 湿度敏感性等级(MSL)
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- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- IGBT类型
ON SEMICONDUCTOR NGTB75N60SWG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.7 V, 595 W, 600 V, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks通孔通孔TO-247-33600V1.7V-55°C~175°C TJTube2014e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)595W未说明未说明SingleStandard595W2V100A80 ns2V @ 15V, 75A310nC200A110ns/270ns1.5mJ (on), 1mJ (off)21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅-- ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)4 Weeks通孔通孔TO-247-33600V1.8V-55°C~175°C TJTube2009e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)417W未说明未说明SingleStandard417W2V100A94 ns2V @ 15V, 50A220nC200A100ns/237ns1.5mJ (on), 460μJ (off)21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅Trench
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
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