NGTB75N60SWG备选型号: STGW35NB60SD
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- 系列
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 接通时间
- 关断时间-标准值(toff)
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
- ON SEMICONDUCTOR NGTB75N60SWG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.7 V, 595 W, 600 V, TO-247, 3 PinsLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks通孔通孔TO-247-33600V1.7V-55°C~175°C TJTube2014e3yesObsolete1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)595W未说明未说明SingleStandard595W2V100A80 ns2V @ 15V, 75A310nC200A110ns/270ns1.5mJ (on), 1mJ (off)21.4mm16.25mm5.3mm无SVHC符合RoHS标准无铅--------------------
- STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 Weeks通孔通孔TO-247-33600V1.7V-55°C~150°C TJTube-e3-活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)200W--SingleStandard-600V70A44 ns1.7V @ 15V, 20A83nC250A92ns/1.1μs840μJ (on), 7.4mJ (off)20.15mm15.75mm5.15mm无SVHCROHS3 Compliant无铅SILICONPowerMESH™3600V35ASTGW353200WMOTOR CONTROL70ns600VN-CHANNEL70ATO-247AA600V153 ns3600 ns20V5V无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB35N60FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 | |
| NGTB50N60S1WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |



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