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首页 全部分类 NGTG20N60L2TF1G vs STGP20H60DF

NGTG20N60L2TF1G备选型号: STGP20H60DF

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  • 端子表面处理
  • 最高工作温度
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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 无卤素
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 基本部件号
  • 输入类型
  • 极性/通道类型
  • 反向恢复时间
  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
  • IGBT类型
  • 闸门收费
  • 集极脉冲电流（Icm）
  • Td（开/关）@25°C
  • 开关能量
  • 栅极-发射极电压-最大值
  • ON Semiconductor
    NGTG20N60L2TF1G
    ON Semiconductor
    IGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    4 Weeks
    通孔
    3
    600V
    1.65V
    Tube
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    175°C
    -55°C
    64W
    3
    Single
    64W
    无卤素
    600V
    40A
    26.5mm
    15.5mm
    5.5mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STGP20H60DF
    STMicroelectronics
    IGBT 600V 40A 167W TO220
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    -
    600V
    2V
    Tube
    -
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    167W
    -
    Single
    167W
    -
    600V
    40A
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-220-3
    通孔
    -55°C~175°C TJ
    STGP20
    Standard
    N-CHANNEL
    90 ns
    2V @ 15V, 20A
    沟渠现场停车
    115nC
    80A
    42.5ns/177ns
    209μJ (on), 261μJ (off)
    20V
  • 添加型号
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