ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G
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NGTG20N60L2TF1G
1807-NGTG20N60L2TF1G
晶体管 - IGBT - 单个
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IGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
--最小包装量--
NGTG20N60L2TF1G详情
ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.65V
包装
Tube
已出版
2000
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
64W
引脚数量
3
元素配置
Single
功率耗散
64W
无卤素
无卤素
集电极发射器电压(VCEO)
600V
最大集电极电流
40A
高度
26.5mm
长度
15.5mm
宽度
5.5mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NGTG20N60L2TF1G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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