NGTG20N60L2TF1G
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ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G

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型号

NGTG20N60L2TF1G

utmel 编号

1807-NGTG20N60L2TF1G

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF

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NGTG20N60L2TF1G
NGTG20N60L2TF1G ON Semiconductor IGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF

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NGTG20N60L2TF1G详情

ON Semiconductor NGTG20N60L2TF1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    600V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    1.65V

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2000

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    175°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    64W

  • 引脚数量

    3

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    64W

  • 无卤素

    无卤素

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    600V

  • 最大集电极电流

    40A

  • 高度

    26.5mm

  • 长度

    15.5mm

  • 宽度

    5.5mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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