NGTG35N65FL2WG备选型号: NGTB40N65FL2WG
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- 关断时间-标准值(toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 反向恢复时间
- ON SEMICONDUCTOR NGTG35N65FL2WG IGBT Single Transistor, UPS & Solar Application, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 WeeksTin通孔通孔TO-247-33SILICON650V1.7V-55°C~175°C TJTube2015e3yes活跃1 (Unlimited)3300WSingleCOLLECTORStandard300W电源控制N-CHANNEL650V70A108 ns2V @ 15V, 35A231 ns场站125nC120A72ns/132ns840μJ (on), 280μJ (off)21.08mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅--
- ON SEMICONDUCTOR NGTB40N65FL2WGIGBT Single Transistor, 80 A, 1.7 V, 366 W, 650 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 2 days ago)21 Weeks-通孔通孔TO-247-33-650V2.1V-55°C~175°C TJTube2011-yes活跃1 (Unlimited)-366WSingle-Standard366W--650V80A-2V @ 15V, 40A-沟渠现场停车170nC160A84ns/177ns970μJ (on), 440μJ (off)21.08mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅38.000013g72 ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 | |
![]() | IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |




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