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NGTG35N65FL2WG备选型号: STGW35NB60SD
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- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 最大功率耗散
- 元素配置
- 箱体转运
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 接通时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
- 关断时间-标准值（toff)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流（Icm）
- Td（开/关）@25°C
- 开关能量
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 引脚数量
- 功率耗散
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 反向恢复时间
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 最大击穿电压
- 栅极-发射极电压-最大值
- 栅极-发射极Thr电压-最大值
- 辐射硬化
ON SEMICONDUCTOR NGTG35N65FL2WG IGBT Single Transistor, UPS & Solar Application, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 5 days ago)6 WeeksTin通孔通孔TO-247-33SILICON650V1.7V-55°C~175°C TJTube2015e3yes活跃1 (Unlimited)3300WSingleCOLLECTORStandard300W电源控制N-CHANNEL650V70A108 ns2V @ 15V, 35A231 ns场站125nC120A72ns/132ns840μJ (on), 280μJ (off)21.08mm16.26mm5.3mm无SVHCROHS3 Compliant无铅-----------------
STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)8 Weeks-通孔通孔TO-247-33SILICON600V1.7V-55°C~150°C TJTube-e3-活跃1 (Unlimited)3200WSingle-Standard-MOTOR CONTROLN-CHANNEL600V70A153 ns1.7V @ 15V, 20A3600 ns-83nC250A92ns/1.1μs840μJ (on), 7.4mJ (off)20.15mm15.75mm5.15mm无SVHCROHS3 Compliant无铅PowerMESH™EAR99Tin (Sn)600V35ASTGW353200W70ns600V44 ns70ATO-247AA600V20V5V无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW35NB60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW35NB60SD IGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
| NGTB35N65FL2WG | ON Semiconductor | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N65FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 650 V, TO-247, 3 Pins | 对比 |
 | IGW40N65F5FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | 对比 |
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