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首页 全部分类 NID5001NT4G vs RFD14N05LSM

NID5001NT4G备选型号: RFD14N05LSM

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 故障保护
  • 漏源击穿电压
  • 双电源电压
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 栅源电压
  • 特征
  • 宽度
  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 终止次数
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 恢复时间
  • ON Semiconductor
    NID5001NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET PWR HD 33A 42V ESD DPAK
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 3 days ago)
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    2002
    HDPlus™
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    23mOhm
    Tin (Sn)
    42V
    64W
    不需要
    33A
    NID5001N
    3
    1
    N-Channel
    33A
    On/Off
    Single
    低侧
    64W
    Non-Inverting
    通用型
    42V
    33A
    1.8V
    1:1
    14V
    42V Max
    Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
    42V
    42V
    23m Ω
    23mOhm
    1.8 V
    Auto Restart, Slew Rate Controlled
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    符合RoHS标准
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    RFD14N05LSM
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 50V 14A TO-252AA
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    1996
    -
    Tube
    -55°C~175°C TJ
    e3
    yes
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    1 (Unlimited)
    SMD/SMT
    EAR99
    100mOhm
    Tin (Sn)
    50V
    -
    -
    14A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    48W
    -
    -
    -
    14A
    2V
    -
    10V
    -
    -
    50V
    50V
    -
    -
    2 V
    -
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    8 Weeks
    260.37mg
    SILICON
    14A Tc
    2V @ 250μA
    2
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    100m Ω @ 14A, 5V
    670pF @ 25V
    40nC @ 10V
    24ns
    ±10V
    16 ns
    TO-252AA
    125 ns
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