STMicroelectronics STD40NF03LT4

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

40A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Turn Off Delay Time

21 ns

Power Dissipation (Max)

80W Tc

Number of Elements

1

系列

STripFET™ II

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE, LOW THRESHOLD

电压 - 额定直流

30V

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

40A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

基本部件号

STD40

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

80W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

22 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1440pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 5V

上升时间

165ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

20A

阈值电压

1V

JEDEC-95代码

TO-252AA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅