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NID9N05CLG备选型号: NTD3055L170-1G
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- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 输出的数量
- 资历状况
- 输出类型
- 最大输出电流
- 界面
- 元素配置
- 输出配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
- 箱体转运
- 输入类型
- 开关类型
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 比率-输入：输出
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 电压-负荷
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 故障保护
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 场效应管技术
- Rds On(Typ)
- 漏源电阻
- RoHS状态
- 无铅
- ECCN 代码
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- Vgs（最大值）
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAKOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63YES3SILICON1-55°C~175°C TJTubeAutomotive, AEC-Q1012006e3yesObsolete1 (Unlimited)2Tin (Sn)防静电52V鸥翼2608A40NID9N05CL3R-PSSO-G21不合格N-Channel9AOn/OffSingle低侧增强型MOSFET1.74W不需要DRAINNon-InvertingRelay, Solenoid DriverSWITCHING500ns1.8 μs9A1:115V52V Max9A过电压52V250pFMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR90m Ω90mOhm符合RoHS标准无铅-----------
MOSFET N-CH 60V 9A IPAKOBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AANO4SILICON9A Ta-55°C~175°C TJTube-2009e3yesObsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)-60V-未说明9A未说明-4R-PSIP-T3-不合格---Single-增强型MOSFET28.5W-DRAIN--SWITCHING69ns38 ns9A-15V-9A-60V----符合RoHS标准无铅EAR99N-Channel170m Ω @ 4.5A, 5V2V @ 250μA275pF @ 25V10nC @ 5V±15V0.17Ohm27A30 mJ1.7 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD3055L170 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK | 对比 |
| NTD3055L170-1G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 60V 9A IPAK | 对比 |
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