ON Semiconductor NTD3055L170-1G

生命周期状态

OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

表面安装

NO

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

1.5W Ta 28.5W Tj

Turn Off Delay Time

10 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

电压 - 额定直流

60V

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

额定电流

9A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

28.5W

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

170m Ω @ 4.5A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

275pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

10nC @ 5V

上升时间

69ns

Vgs（最大值）

±15V

下降时间（典型值）

38 ns

连续放电电流(ID)

9A

栅极至源极电压(Vgs)

15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

9A

漏极-源极导通最大电阻

0.17Ohm

漏源击穿电压

60V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

27A

雪崩能量等级（Eas）

30 mJ

栅源电压

1.7 V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅