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首页 全部分类 NIMD6001ANR2G vs IRF7342TRPBF

NIMD6001ANR2G备选型号: IRF7342TRPBF

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  • 元素配置
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  • 每个通道的输出电流
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  • 连续放电电流(ID)
  • 比率-输入：输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
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  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 行间距
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 场效应管技术
  • 恢复时间
  • 最大结点温度（Tj）
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    NIMD6001ANR2G
    ON Semiconductor
    IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    15 μs
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    60mOhm
    Tin (Sn)
    NIMD6001A
    8
    2
    N-Channel
    10A
    On/Off
    Dual
    低侧
    不需要
    1.7 μs
    Relay, Solenoid Driver
    无卤素
    3.3A
    3.9μs
    9 μs
    3.3A
    1:1
    20V
    60V Max
    67V
    60m Ω
    110mOhm
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
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    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRF7342TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    105mOhm
    -
    IRF7342PBF
    -
    -
    -
    -
    -
    Dual
    -
    -
    14 ns
    -
    -
    -
    10ns
    22 ns
    -3.4A
    -
    20V
    -
    -55V
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    Contains Lead, Lead Free
    12 Weeks
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    超低电阻
    -55V
    2W
    鸥翼
    -3.4A
    6.3 mm
    2
    增强型MOSFET
    2W
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    105m Ω @ 3.4A, 10V
    1V @ 250μA
    690pF @ 25V
    38nC @ 10V
    55V
    -1V
    114 mJ
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    80 ns
    150°C
    逻辑电平门
    -1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC 对比