NIMD6001ANR2G
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ON Semiconductor NIMD6001ANR2G

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型号

NIMD6001ANR2G

utmel 编号

1807-NIMD6001ANR2G

商品类别

PMIC - 配电开关,负载驱动器

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC

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NIMD6001ANR2G ON Semiconductor IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC

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NIMD6001ANR2G详情

ON Semiconductor NIMD6001ANR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Turn Off Delay Time

    15 μs

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2011

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    60mOhm

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 基本部件号

    NIMD6001A

  • 引脚数量

    8

  • 输出的数量

    2

  • 输出类型

    N-Channel

  • 最大输出电流

    10A

  • 界面

    On/Off

  • 元素配置

    Dual

  • 输出配置

    低侧

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)

    不需要

  • 接通延迟时间

    1.7 μs

  • 开关类型

    Relay, Solenoid Driver

  • 无卤素

    无卤素

  • 每个通道的输出电流

    3.3A

  • 上升时间

    3.9μs

  • 下降时间(典型值)

    9 μs

  • 连续放电电流(ID)

    3.3A

  • 比率-输入:输出

    1:1

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 电压-负荷

    60V Max

  • 漏源击穿电压

    67V

  • Rds On(Typ)

    60m Ω

  • 漏源电阻

    110mOhm

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

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技术文档: ON Semiconductor NIMD6001ANR2G.

右边的3个型号有着和ON Semiconductor & NIMD6001ANR2G相似的参数规格。

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NIMD6001ANR2G拓展信息

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