NIMD6001ANR2G备选型号: IRF7343TRPBF

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 输出的数量
  • 输出类型
  • 最大输出电流
  • 界面
  • 元素配置
  • 输出配置
  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
  • 接通延迟时间
  • 开关类型
  • 无卤素
  • 每个通道的输出电流
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 比率-输入:输出
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 电压-负荷
  • 漏源击穿电压
  • Rds On(Typ)
  • 漏源电阻
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 行间距
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 极性/通道类型
  • 阈值电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ON Semiconductor
    IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 8SOIC
    CONSULT SALES OFFICE (Last Updated: 1 week ago)
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    15 μs
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    60mOhm
    Tin (Sn)
    NIMD6001A
    8
    2
    N-Channel
    10A
    On/Off
    Dual
    低侧
    不需要
    1.7 μs
    Relay, Solenoid Driver
    无卤素
    3.3A
    3.9μs
    9 μs
    3.3A
    1:1
    20V
    60V Max
    67V
    60m Ω
    110mOhm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
    -
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    4.7A 3.4A
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e3
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    50mOhm
    -
    IRF7343PBF
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    8.3 ns
    -
    -
    -
    10ns
    22 ns
    4.7A
    -
    20V
    -
    55V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SILICON
    HEXFET®
    8
    AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
    2W
    DUAL
    鸥翼
    4.7A
    6.3 mm
    2
    增强型MOSFET
    2W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    50m Ω @ 4.7A, 10V
    1V @ 250μA
    740pF @ 25V
    36nC @ 10V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    1V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Standard
    1 V
    1.75mm
    4.9784mm
    3.9878mm
    无SVHC
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