NJX1675PDR2G备选型号: MC1413BDR2G
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 极性
- 配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输出电压
- 输出电流
- 无卤素
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOICOBSOLETE (Last Updated: 1 day ago)表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES8SILICON30V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2010e3yesObsolete1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)2WDUAL鸥翼8NPN, PNPSEPARATE, 2 ELEMENTS2WSWITCHING100MHzNPN, PNP30V3A180 @ 1A 2V100nA ICBO115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A100MHz100MHz 120MHz30V-7V无符合RoHS标准无铅-----------------
- ON SEMICONDUCTOR MC1413BDR2G DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOICACTIVE (Last Updated: 4 days ago)表面贴装16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)-16SILICON1.1V150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)16EAR99--DUAL鸥翼16NPNCOMPLEX-SWITCHING-7 NPN Darlington50V500mA1000 @ 350mA 2V-1.6V @ 500μA, 350mA----无ROHS3 Compliant无铅15 WeeksTinSurface Mount, Through Hole1.6V逻辑电平兼容50V260500mA40MC1413B50V500mA无卤素3.9878mm9.9822mm1.4986mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NCV1413BDR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO | 对比 | |
![]() | MC1413DR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | DARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC | 对比 |
| ULN2003ADR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2GDARLINGTON TRANSISTOR ARRAY, NPN, 7, 50V, SOIC | 对比 |



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