ON Semiconductor NCV1413BDR2G
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NCV1413BDR2G
1807-NCV1413BDR2G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO
--最小包装量--
NCV1413BDR2G详情
ON Semiconductor NCV1413BDR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
16
质量
665.986997mg
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Number of Elements
7
hFEMin
1000
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
附加功能
逻辑电平兼容
电压 - 额定直流
50V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
NCV1413
引脚数量
16
输出电压
50V
极性
NPN
配置
COMPLEX
输出电流
50μA
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
无卤素
晶体管类型
7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
1000 @ 350mA 2V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 500μA, 350mA
高度
1.5mm
长度
10mm
宽度
4mm
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NCV1413BDR2G拓展信息
ON Semiconductor
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