NMLU1210TWG备选型号: SCH1332-TL-H
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 二极管类型
- 反向泄漏电流@ Vr
- 操作模式
- 功率耗散
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 平均整流电流(Io)
- 极性/通道类型
- 连续放电电流(ID)
- 峰值反向电流
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 漏源电阻
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 无铅
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 辐射硬化
- MOSFET Dual N-Channel Full BridgeRectifierUDFN8ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)11 Weeks表面贴装8-UDFN Exposed PadYES8SILICON2-55°C~125°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)无铅未说明未说明8S-XDSO-N6Dual单相40μA @ 20V增强型MOSFET1.2W450mV @ 2ADRAINSWITCHING3.2AN-CHANNEL2.2A1mA10V1.16A20V17mOhm500μm4mm4mmROHS3 Compliant无铅-----------
- MOSFET P-CH 20V 2.5A SCH6--表面贴装SOT-563, SOT-666YES6-2.5A Ta150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yesObsolete1 (Unlimited)-EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)---6-Single---1W-----2.5A-10V--20V-560μm1.6mm1.5mm符合RoHS标准无铅8.1 nsP-Channel95m Ω @ 1.5A, 4.5V1.3V @ 1mA375pF @ 10V4.6nC @ 4.5V26ns20V±10V37 ns无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH3356-TL-H | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET P-CH 20V 2.5A CPH3 | 对比 |


哦! 它是空的。