NMSD200B01-7备选型号: DMN601DWK-7

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 终端
  • 电阻
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 基本部件号
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 阈值电压
  • 双电源电压
  • 场效应管技术
  • 栅源电压
  • 达到SVHC
  • Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    200mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    60V
    DUAL
    鸥翼
    260
    200mA
    40
    6
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    DEPLETION MODE
    200mW
    20 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    3 Ω @ 50mA, 5V
    3V @ 1mA
    50pF @ 25V
    ±20V
    200mA
    20V
    0.2A
    2Ohm
    60V
    Schottky Diode (Isolated)
    5 pF
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET Dual N-Channel
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    6.010099mg
    SILICON
    2
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    60V
    -
    鸥翼
    260
    305mA
    40
    6
    -
    2
    增强型MOSFET
    200mW
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    2 Ω @ 500mA, 10V
    2.5V @ 1mA
    50pF @ 25V
    -
    305mA
    20V
    0.305A
    -
    60V
    逻辑电平门
    5 pF
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    16 Weeks
    Tin
    SMD/SMT
    2Ohm
    LOW CAPACITANCE
    200mW
    DMN601DWK
    AEC-Q101
    Dual
    1.6V
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    1.6 V
    无SVHC
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