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首页 全部分类 NSBC144EPDXV6T5G vs RN1964FE(TE85L,F)

NSBC144EPDXV6T5G备选型号: RN1964FE(TE85L,F)

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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • ON Semiconductor
    NSBC144EPDXV6T5G
    ON Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
    50V
    500mW
    FLAT
    260
    100mA
    40
    NSBC1*
    6
    不合格
    NPN, PNP
    Dual
    357mW
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    80 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    47k Ω
    100mA
    47k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1964FE(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN 2-in-1 100mA 50V
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    -
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN
    Dual
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    47k Ω
    100mA
    47k Ω
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    50V
    250MHz
    10V
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