NSM11156DW6T1G备选型号: FJV4101RMTF
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- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 基本部件号
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- TRANS PNP PREBIAS/PNP 0.23W SC88LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)表面贴装表面贴装6-TSSOP, SC-88, SOT-3636SILICON65VTape & Reel (TR)2008e3yesObsolete1 (Unlimited)6EAR99Tin (Sn)BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1.08541.21.00.95230mWDUAL鸥翼未说明未说明6不合格SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR230mWSWITCHINGPNP1 PNP Pre-Biased, 1 PNP250mV100mA35 @ 5mA 10V / 220 @ 2mA 5V500nA250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA50V 65V10k Ω10k Ω符合RoHS标准无铅--------------------
- Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R-表面贴装表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-33-50VTape & Reel (TR)2013e3yesObsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 18541.21.00.95200mWDUAL鸥翼------SWITCHING-PNP - Pre-Biased50V100mA20 @ 10mA 5V100nA ICBO300mV @ 500μA, 10mA-4.7 k Ω4.7 k Ω符合RoHS标准无铅30mg-300mV150°C-55°C-50V-100mAFJV4101PNPSingle200mW200MHz50V200MHz-50V-10V-100mA930μm2.92mm1.3mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FJV4101RMTF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| NSM21156DW6T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 | 对比 | |
| NSM21356DW6T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | TRANS NPN PREBIAS/PNP SOT363 | 对比 |



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