ON Semiconductor NSM21356DW6T1G

生命周期状态

LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Collector-Emitter Breakdown Voltage

65V

已出版

2008

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

230mW

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

6

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

230mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN和PNP

晶体管类型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

集电极发射器电压(VCEO)

250mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 5mA 10V / 220 @ 2mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 300μA, 10mA / 650mV @ 5mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V 65V

电阻基(R1)

47k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅