NSS12500UW3T2G备选型号: 2SA1955FVATPL3Z

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 极性
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 频率转换
  • ON Semiconductor
    TRANS PNP 12V 5A 3-WDFN
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-WDFN Exposed Pad
    3
    SILICON
    12V
    -200mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    875mW
    DUAL
    100MHz
    NSS12500
    3
    Single
    1.5W
    COLLECTOR
    875mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    PNP
    PNP
    12V
    5A
    200 @ 2A 2V
    100nA ICBO
    260mV @ 400mA, 4A
    100MHz
    12V
    12V
    7V
    525ns
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    -
    -
    12V
    -30mV
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2005
    -
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    PNP
    250mV
    400mA
    300 @ 10mA 2V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 200mA
    -
    12V
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    CST3
    PNP
    12V
    130MHz
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