NSS12500UW3T2G备选型号: 2SA1955FVATPL3Z
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- 工厂交货时间
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- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 关断时间-最大值(toff)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 供应商器件包装
- 极性
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 频率转换
- TRANS PNP 12V 5A 3-WDFNACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 Weeks表面贴装表面贴装3-WDFN Exposed Pad3SILICON12V-200mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)875mWDUAL100MHzNSS125003Single1.5WCOLLECTOR875mWSWITCHING无卤素100MHzPNPPNP12V5A200 @ 2A 2V100nA ICBO260mV @ 400mA, 4A100MHz12V12V7V525ns无ROHS3 Compliant无铅----
- Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO--表面贴装表面贴装SC-101, SOT-883--12V-30mV150°C TJCut Tape (CT)2005--Obsolete1 (Unlimited)---100mW----Single--100mW----PNP250mV400mA300 @ 10mA 2V100nA ICBO250mV @ 10mA, 200mA-12V----符合RoHS标准-CST3PNP12V130MHz
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZXT10P12DE6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-6 | TRANS PNP 12V 3A SOT23-6 | 对比 |
![]() | NSS12600CF8T1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 8-SMD, Flat Lead | Bipolar Transistors - BJT SBN BE (MY1) CHPFET 12V | 对比 |
| 2SA1955FVATPL3Z | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SC-101, SOT-883 | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.4A LN -12V VCEO | 对比 |




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