Diodes Incorporated ZXT10P12DE6TA

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

质量

14.996898mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

12V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-195mV

Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)

110MHz

Power Dissipation (Max)

1.1W

Number of Elements

1

hFEMin

180

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2006

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-12V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

-3A

频率

110MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

ZXT10P12D

元素配置

Single

功率耗散

1.7W

功率 - 最大

1.1W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

12V

最大集电极电流

3A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

300 @ 100mA 2V

最大集极截止电流

100nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 50mA, 3A

转换频率

110MHz

最大击穿电压

12V

集电极基极电压(VCBO)

12V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

连续集电极电流

-3A

高度

1.3mm

长度

3mm

宽度

1.75mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅