NSS35200CF8T1G备选型号: DTB123TKT146
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- 型号:
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 终端
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- HTS代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 极性
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 达到SVHC
- Transistors Bipolar- Low VCE 2A 35V Low VCEsatACTIVE (Last Updated: 1 day ago)2 Weeks表面贴装8-SMD, Flat LeadYES8SILICON35V-300mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2006e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)-35V635mWDUALC 弯管-2A100MHzNSS352008Single13.5W635mWSWITCHING无卤素100MHzPNPPNP35V2A100 @ 1.5A 2V100nA300mV @ 20mA, 2A100MHz35V55V5V无ROHS3 Compliant无铅--------------
- TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3-13 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3-3-40V--Tape & Reel (TR)1998e1yes活跃1 (Unlimited)3EAR99锡银铜-40V200mWDUAL鸥翼-500mA-DTB123-Single200mW-SWITCHING---PNP - Pre-Biased300mV500mA100 @ 50mA 5V500nA ICBO300mV @ 2.5mA, 50mA200MHz40V--5V无ROHS3 Compliant无铅表面贴装SMD/SMT150°C-55°CDIGITAL8541.21.00.7526010500mA50VPNP200MHz2.2 k Ω无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| CPH3101-TL-E | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 3-SMD, Gull Wing | Bipolar Transistor, -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3 | 对比 | |
| DTB123TKT146 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3 | 对比 | |
| US6T6TR | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 6-SMD, Flat Leads | TRANS PNP 30V 2A TUMT6 | 对比 |



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