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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.83933
10
¥4.565401
100
¥4.306986
500
¥4.063196
1000
¥3.833204
ON Semiconductor CPH3101-TL-E
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- 对比
CPH3101-TL-E
1807-CPH3101-TL-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
3-SMD, Gull Wing
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Bipolar Transistor, -30V, -2A, Low VCE(sat), PNP Single CPH3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
CPH3101-TL-E详情
ON Semiconductor CPH3101-TL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-SMD, Gull Wing
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30V
Number of Elements
1
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
900mW
端子位置
DUAL
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
配置
SINGLE
功率 - 最大
900mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
集电极发射器电压(VCEO)
-600mV
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
600mV @ 75mA, 1.5A
转换频率
150MHz
频率转换
150MHz
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
CPH3101-TL-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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