NSS40302PDR2G备选型号: NSV40301MDR2G

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  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 频率
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    YES
    8
    SILICON
    40V
    115mV
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    783mW
    鸥翼
    100MHz
    8
    NPN, PNP
    Dual
    783mW
    653mW
    SWITCHING
    无卤素
    100MHz
    NPN, PNP
    40V
    3A
    180 @ 1A 2V
    100nA ICBO
    115mV @ 200mA, 2A
    100MHz
    40V
    40V
    7V
    1.5mm
    5mm
    4mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT)
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    48 Weeks
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    -
    8
    -
    40V
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin (Sn)
    653mW
    -
    100MHz
    8
    NPN
    -
    783mW
    -
    -
    无卤素
    -
    2 NPN (Dual)
    40V
    3A
    180 @ 2A 2V
    100nA ICBO
    115mV @ 200mA, 2A
    -
    -
    40V
    6V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
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NSS40300DDR2G NSS40300DDR2G ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP 对比
NSV40301MDR2G NSV40301MDR2G ON Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Bipolar Transistors - BJT SOIC8 MATCHED LO VCE(SAT) 对比