NSV40300MDR2G备选型号: NSS40300DDR2G
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 引脚数量
- 极性
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 元素配置
- 增益带宽积
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 关断时间-最大值(toff)
- TRANS 2PNP 40V 3A 8SOICACTIVE (Last Updated: 1 day ago)32 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES8SILICON40V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2011e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)653mW鸥翼8PNPSEPARATE, 2 ELEMENTS653mWSWITCHING无卤素2 PNP (Dual)170mV3A180 @ 1A 2V100nA ICBO170mV @ 200mA, 2A100MHz100MHz40V无ROHS3 Compliant无铅-----
- Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNPACTIVE (Last Updated: 3 days ago)2 Weeks表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)YES8SILICON40V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)8EAR99Tin (Sn)783mW鸥翼8PNP-653mWSWITCHING无卤素2 PNP (Dual)170mV3A180 @ 1A 2V100nA ICBO170mV @ 200mA, 2A100MHz--40V无ROHS3 Compliant无铅135mVDual100MHz-7V530ns
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSS40302PDR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Trans GP BJT NPN/PNP 40V 3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R | 对比 | |
| NSS40300DDR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Bipolar Transistors - BJT DUAL 40V LOW VCE XTR PNP | 对比 | |
| NJX1675PDR2G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TRANS NPN/PNP 30V 3A 8SOIC | 对比 |


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