NSV60200LT1G备选型号: BC807-25T116
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- 端子表面处理
- 最大功率耗散
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- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 无卤素
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 终止次数
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 频率转换
- 连续集电极电流
- ON Semi NSV60200LT1G PNP Bipolar Transistor; 2 A; 60 V; 3-Pin SOT-23ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)8 Weeks表面贴装TO-236-3, SC-59, SOT-23-3360V220mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)460mW未说明100MHz未说明3Single540mW无卤素PNP60V2A150 @ 500mA 2V100nA ICBO220mV @ 200mA, 2A80V-7VROHS3 Compliant无铅--------------
- TRANS PNP 45V 0.5A SMT3---SOT-23-3345V-700mV-Tape & Reel (TR)2002--不用于新设计1 (Unlimited)EAR99-330mW未说明-未说明3Single--PNP700mV500mA160 @ 100mA 1V-700mV @ 50mA, 500mA-50V-5VROHS3 Compliant-表面贴装3150°C-55°C8541.21.00.75DUAL鸥翼BC807AMPLIFIER150MHzPNP150MHz100MHz-800mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| NSS60200LT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PNP 60V 2A SOT-23 | 对比 | |
| BC807-25T116 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-3 | TRANS PNP 45V 0.5A SMT3 | 对比 | |
| MMBTA55LT1 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-3 | TRANS PNP 60V 0.5A SOT23 | 对比 |


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