ON Semiconductor NSV60200LT1G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

工厂交货时间

8 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

220mV

Current-Collector (Ic) (Max)

2A

Number of Elements

1

hFEMin

100

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2015

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

460mW

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

频率

100MHz

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

540mW

无卤素

无卤素

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

60V

最大集电极电流

2A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

150 @ 500mA 2V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

220mV @ 200mA, 2A

集电极基极电压(VCBO)

80V

发射极基极电压 (VEBO)

-7V

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅