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首页 全部分类 NSVBSS63LT1G vs 2SA1312-BL(TE85L,F

NSVBSS63LT1G备选型号: 2SA1312-BL(TE85L,F

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  • 工厂交货时间
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  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
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  • 最大功率耗散
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  • 元素配置
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 频率
  • 功率耗散
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    NSVBSS63LT1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    100V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    225mW
    3
    Single
    无卤素
    95MHz
    PNP
    250mV
    100mA
    30 @ 25mA 1V
    100nA ICBO
    250mV @ 2.5mA, 25mA
    110V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1312-BL(TE85L,F
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
    -
    16 Weeks
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    120V
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2009
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150mW
    -
    Single
    -
    100MHz
    PNP
    300mV
    100mA
    350 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 1mA, 10mA
    -120V
    无
    符合RoHS标准
    -
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    -300mV
    100MHz
    150mW
    120V
    -5V
    1.1mm
    2.9mm
    1.5mm
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