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1

￥2.405042
10

￥2.268904
100

￥2.140476
500

￥2.01932
1000

￥1.905019

ON Semiconductor NSVBSS63LT1G

Name: NSVBSS63LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-NSVBSS63LT1G
Price: 2.41 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

NSVBSS63LT1G

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-NSVBSS63LT1G

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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NSVBSS63LT1G ON Semiconductor Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R

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技术参数

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型号对比

ON Semiconductor NSVBSS63LT1G重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间

8 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数

3
Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

30
操作温度

-55°C~150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
最大功率耗散

225mW
引脚数量

3
元素配置

Single
无卤素

无卤素
增益带宽积

95MHz
晶体管类型

PNP
集电极发射器电压(VCEO)

250mV
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 25mA 1V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 2.5mA, 25mA
集电极基极电压(VCBO)

110V
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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NSVBSS63LT1G拓展信息

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