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首页 全部分类 NSVEMC2DXV5T1G vs RN1706JE(TE85L,F)

NSVEMC2DXV5T1G备选型号: RN1706JE(TE85L,F)

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  • 晶体管类型
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
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  • 电阻-发射极基极(R2)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • Reach合规守则
  • 极性
  • 元素配置
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    NSVEMC2DXV5T1G
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - Pre-Biased SSP COMMON BASE BRT
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-553
    SILICON
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    500mW
    未说明
    未说明
    500mW
    NPN/PNP
    1 NPN, 1 PNP - Pre - Biased (Base-Collector Junction)
    250mV
    100mA
    60 @ 5mA 10V
    500nA
    250mV @ 300μA, 10mA
    22k Ω
    22k Ω
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1706JE(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
    -
    3 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-553
    -
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    -
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
    300mV
    100mA
    80 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    4.7k Ω
    47k Ω
    符合RoHS标准
    -
    5
    150°C
    -55°C
    unknown
    NPN
    Dual
    250MHz
    50V
    50V
    5V
    100mA
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