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NSVMMBT5551M3T5G备选型号: RN1102MFV,L3F
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- JESD-609代码
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- 零件状态
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- 终止次数
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 配置
- 功率 - 最大
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
- RoHS状态
- 无铅
- 极性
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- 电阻-发射极基极(R2)
TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)8 Weeks表面贴装表面贴装SOT-723SILICON160V-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)Automotive, AEC-Q1012009e3yes活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)265mWDUALFLAT26030R-PDSO-F3SINGLE265mWNPNNPN200mV60mA80 @ 10mA 5V50nA ICBO200mV @ 5mA, 50mAROHS3 Compliant无铅------
Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor-12 Weeks表面贴装表面贴装SOT-723-50V-Tape & Reel (TR)-2011--活跃1 (Unlimited)--150mW--------NPN - Pre-Biased300mV100mA50 @ 10mA 5V500nA300mV @ 500μA, 5mA符合RoHS标准-NPN50V10V10 k Ω100mA10 k Ω- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DTA044TMT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SOT-723 | TRANS PREBIAS PNP 50V VMT3 | 对比 |
| DTC044TMT2L | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SOT-723 | TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 | 对比 |
| RN1102MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置 | SOT-723 | Bipolar Transistors - Pre-Biased Bias Resistor Built-in transistor | 对比 |
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