ON Semiconductor NSVMMBT5551M3T5G

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-723

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101

已出版

2009

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

最大功率耗散

265mW

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

JESD-30代码

R-PDSO-F3

配置

SINGLE

功率 - 最大

265mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

60mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

50nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

200mV @ 5mA, 50mA

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅