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首页 全部分类 NSVMMBT6520LT1G vs 2SA1182-Y,LF

NSVMMBT6520LT1G备选型号: 2SA1182-Y,LF

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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 功率 - 最大
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    NSVMMBT6520LT1G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 350V 0.5A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    3
    SILICON
    350V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    225mW
    DUAL
    鸥翼
    200MHz
    Single
    300mW
    PNP
    PNP
    350V
    500mA
    20 @ 50mA 10V
    50nA ICBO
    1V @ 5mA, 50mA
    40MHz
    350V
    5V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1182-Y,LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS PNP 30V 0.5A S-MINI
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    -
    30V
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    150mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    PNP
    250mV
    500mA
    120 @ 100mA 1V
    100nA ICBO
    250mV @ 10mA, 100mA
    -
    -35V
    -5V
    -
    符合RoHS标准
    -
    -250mV
    150mW
    200MHz
    30V
    -500mA
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